本文摘要：俄罗斯国家研究型核大学国立核能研究大学莫斯科工程物理学院（MEPhI）的学者与俄罗斯科学院西伯利亚分院金属物理研究所的专家合作，研发出有一种需要提升高频微型电路操作者速率的纳米结构。该纳米结构是一种由常用半导体构成的层状材料。研究人员挑选出了生产新型纳米结构的适合条件：过渡性层结构、厚度和活跃层的成分，因此，结构质量十分低。 在提升材料“活跃”导电层中铟含量的情况下，有助减少结构中的电子质量，提升它们的速度，因此电子仪器的运营也能减缓。不过，邻层晶格的机械压力将因此强化。

俄罗斯国家研究型核大学国立核能研究大学莫斯科工程物理学院（MEPhI）的学者与俄罗斯科学院西伯利亚分院金属物理研究所的专家合作，研发出有一种需要提升高频微型电路操作者速率的纳米结构。该纳米结构是一种由常用半导体构成的层状材料。研究人员挑选出了生产新型纳米结构的适合条件：过渡性层结构、厚度和活跃层的成分，因此，结构质量十分低。

在提升材料“活跃”导电层中铟含量的情况下，有助减少结构中的电子质量，提升它们的速度，因此电子仪器的运营也能减缓。不过，邻层晶格的机械压力将因此强化。物理学家们在渐渐减少活跃层中铟含量的同时，也减少了厚重的过渡性层，由此解决问题了上述问题。

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